Hersteller Produktnummer:
TSM60NC620CI C0G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM60NC620CI C0G-DG
Beschreibung:
600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventar:
4000 Stück Neu Original Auf Lager
12922970
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TSM60NC620CI C0G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
506 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
46W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TSM60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
1801-TSM60NC620CIC0G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTE491
MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92
ATP404-TL-H
MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK
NTE454
MOSFET-DUAL GATE N-CH
